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SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
भाग संख्या
SI3473CDV-T1-GE3
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
TrenchFET®
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
6-TSOP
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
एफईटी प्रकार
P-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
12V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
8A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
22 mOhm @ 8.1A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
65nC @ 8V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
2010pF @ 6V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
1.8V, 4.5V
वीजीएस (अधिकतम)
±8V
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