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SI1499DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

भाग संख्या

SI1499DH-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET®

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SC-70-6 (SOT-363)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

2.5W (Ta), 2.78W (Tc)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

1.6A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

78 mOhm @ 2A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

800mV @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

16nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

650pF @ 4V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.2V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±5V

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