TK10V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
भाग संख्या
TK10V60W,LVQ
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
DTMOSIV
भाग स्थिति
Discontinued at Digi-Key
पैकेजिंग
Digi-Reel®
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
4-VSFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
4-DFN-EP (8x8)
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
88.3W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
Super Junction
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
600V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
9.7A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
380 mOhm @ 4.9A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
3.7V @ 500µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
20nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
700pF @ 300V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
10V
वीजीएस (अधिकतम)
±30V
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