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SSM3K01T(TE85L,F)

MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM

भाग संख्या

SSM3K01T(TE85L,F)

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

π-MOSVI

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TSM

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.25W (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.2A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

120 mOhm @ 1.6A, 4V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

152pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

2.5V, 4V

वीजीएस (अधिकतम)

±10V

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