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SSM3J36MFV,L3F

MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM

भाग संख्या

SSM3J36MFV,L3F

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

U-MOSIII

भाग स्थिति

Discontinued at Digi-Key

पैकेजिंग

Digi-Reel®

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SOT-723

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

VESM

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

150mW (Ta)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

330mA (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

1.2nC @ 4V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

43pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.5V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±8V

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