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RN1116MFV,L3F

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

भाग संख्या

RN1116MFV,L3F

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SOT-723

शक्ति - अधिकतम

150mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

VESM

ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN - Pre-Biased

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

100mA

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

50V

वीसीई संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी

300mV @ 250µA, 5mA

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)

500nA

डीसी करंट गेन (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई

50 @ 10mA, 5V

आवृत्ति - संक्रमण

250MHz

अवरोधक - आधार (R1)

4.7 kOhms

अवरोधक - उत्सर्जक आधार (R2)

10 kOhms

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