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2SK1829TE85LF

MOSFET N-CH 20V 0.05A USM

भाग संख्या

2SK1829TE85LF

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Discontinued at Digi-Key

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SC-70, SOT-323

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SC-70

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

100mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

50mA (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

40 Ohm @ 10mA, 2.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5.5pF @ 3V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

2.5V

वीजीएस (अधिकतम)

10V

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