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2SJ438,Q(M

MOSFET P-CH

भाग संख्या

2SJ438,Q(M

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

परिचालन तापमान

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3 Full Pack

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220NIS

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

एफईटी प्रकार

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

वीजीएस (अधिकतम)

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