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NSVMUN5212DW1T1G

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

भाग संख्या

NSVMUN5212DW1T1G

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

शक्ति - अधिकतम

250mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SC-88/SC70-6/SOT-363

ट्रांजिस्टर प्रकार

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

100mA

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

50V

वीसीई संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी

250mV @ 300µA, 10mA

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)

500nA

डीसी करंट गेन (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई

60 @ 5mA, 10V

आवृत्ति - संक्रमण

अवरोधक - आधार (R1)

22 kOhms

अवरोधक - उत्सर्जक आधार (R2)

22 kOhms

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