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PMPB33XP,115

MOSFET P-CH 20V 5.5A 6DFN

भाग संख्या

PMPB33XP,115

निर्माता/ब्रांड

Nexperia USA Inc.

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-UDFN Exposed Pad

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

6-DFN2020MD (2x2)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

5.5A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

37 mOhm @ 5.5A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

900mV @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

23nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1575pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.8V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±12V

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