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PMPB20EN,115

MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN

भाग संख्या

PMPB20EN,115

निर्माता/ब्रांड

Nexperia USA Inc.

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-UDFN Exposed Pad

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

6-DFN2020MD (2x2)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

7.2A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

19.5 mOhm @ 7A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

10.8nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

435pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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