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PMN27XPE,115

MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP

भाग संख्या

PMN27XPE,115

निर्माता/ब्रांड

Nexperia USA Inc.

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SC-74, SOT-457

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

6-TSOP

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

530mW (Ta), 8.33W (Tc)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4.4A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

30 mOhm @ 3A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.25V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

22.5nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1770pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

2.5V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±12V

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