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PHT6NQ10T,135

MOSFET N-CH 100V 3A SOT223

भाग संख्या

PHT6NQ10T,135

निर्माता/ब्रांड

Nexperia USA Inc.

शृंखला

TrenchMOS™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Digi-Reel®

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-65°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-261-4, TO-261AA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SOT-223

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

90 mOhm @ 3A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

21nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

633pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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