IXTK32P60P
MOSFET P-CH 600V 32A TO-264
भाग संख्या
IXTK32P60P
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
PolarP™
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tube
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-264-3, TO-264AA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-264 (IXTK)
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
890W (Tc)
एफईटी प्रकार
P-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
600V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
32A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
350 mOhm @ 16A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
4V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
196nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
11100pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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