छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.
IXTH12N100Q
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
भाग संख्या
IXTH12N100Q
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tube
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-247-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-247 (IXTH)
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
-
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
1000V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
12A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
-
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
-
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
-
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
-
वीजीएस (अधिकतम)
-
कोट अनुरोध करें
कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।
स्टॉक में 40043 PCS
संपर्क जानकारी
संबंधित उत्पाद
के कीवर्ड IXTH12N100Q
IXTH12N100Q इलेक्ट्रॉनिक घटक
IXTH12N100Q बिक्री
IXTH12N100Q आपूर्तिकर्ता
IXTH12N100Q वितरक
IXTH12N100Q डेटा तालिका
IXTH12N100Q तस्वीरें
IXTH12N100Q कीमत
IXTH12N100Q ऑफर
IXTH12N100Q सबसे कम कीमत
IXTH12N100Q खोजें
IXTH12N100Q खरीदारी
IXTH12N100Q चिप