IXFH80N20Q
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD
भाग संख्या
IXFH80N20Q
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
HiPerFET™
भाग स्थिति
Last Time Buy
पैकेजिंग
Tube
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-247-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-247AD (IXFH)
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
360W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
200V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
80A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
28 mOhm @ 500mA, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
4V @ 4mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
180nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
4600pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
कोट अनुरोध करें
कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।
स्टॉक में 37351 PCS
संपर्क जानकारी
संबंधित उत्पाद
के कीवर्ड IXFH80N20Q
IXFH80N20Q इलेक्ट्रॉनिक घटक
IXFH80N20Q बिक्री
IXFH80N20Q आपूर्तिकर्ता
IXFH80N20Q वितरक
IXFH80N20Q डेटा तालिका
IXFH80N20Q तस्वीरें
IXFH80N20Q कीमत
IXFH80N20Q ऑफर
IXFH80N20Q सबसे कम कीमत
IXFH80N20Q खोजें
IXFH80N20Q खरीदारी
IXFH80N20Q चिप