छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.
IRFSL4310PBF

IRFSL4310PBF

MOSFET N-CH 100V 130A TO-262
भाग संख्या
IRFSL4310PBF
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
HEXFET®
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tube
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-262
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
300W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
100V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
130A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
7 mOhm @ 75A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
250nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
7670pF @ 50V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
कोट अनुरोध करें
कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।
स्टॉक में 15369 PCS
संपर्क जानकारी
के कीवर्ड IRFSL4310PBF
IRFSL4310PBF इलेक्ट्रॉनिक घटक
IRFSL4310PBF बिक्री
IRFSL4310PBF आपूर्तिकर्ता
IRFSL4310PBF वितरक
IRFSL4310PBF डेटा तालिका
IRFSL4310PBF तस्वीरें
IRFSL4310PBF कीमत
IRFSL4310PBF ऑफर
IRFSL4310PBF सबसे कम कीमत
IRFSL4310PBF खोजें
IRFSL4310PBF खरीदारी
IRFSL4310PBF चिप