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IRFR3711ZCTRPBF

MOSFET N-CH 20V 93A DPAK

भाग संख्या

IRFR3711ZCTRPBF

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

HEXFET®

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

D-Pak

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

79W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

93A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

5.7 mOhm @ 15A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.45V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

27nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2160pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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