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IRFB4233PBF

IRFB4233PBF

MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB
भाग संख्या
IRFB4233PBF
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
HEXFET®
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tube
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-40°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-220-3
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-220AB
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
370W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
230V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
56A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
37 mOhm @ 28A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
170nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
5510pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
10V
वीजीएस (अधिकतम)
±30V
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