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IPS040N03LGAKMA1

MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3

भाग संख्या

IPS040N03LGAKMA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

OptiMOS™

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-251-3 Stub Leads, IPak

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-TO251-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

79W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

90A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

4 mOhm @ 30A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.2V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

38nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

3900pF @ 15V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

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