खरीदें GeneSiC Semiconductor GBU4G DIODE BRIDGE 400V 4A GBU

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GBU4G

DIODE BRIDGE 400V 4A GBU

भाग संख्या

GBU4G

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

4-SIP, GBU

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

GBU

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

400V

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.1V @ 4A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

5µA @ 400V

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