EPC2112ENGRT
200 V GAN IC FET DRIVER
भाग संख्या
EPC2112ENGRT
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
-
विशेषताएँ
-
अनुप्रयोग
DC-DC Converters
पैकेज/केस
-
इंटरफेस
On/Off
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
-
वोल्टेज आपूर्ति
4.5 V ~ 5.5 V
वर्तमान - आउटपुट/चैनल
10A
वर्तमान - पीक आउटपुट
40A
दोष संरक्षण
-
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन
High Side
लोड प्रकार
Inductive
आरडीएस चालू (प्रकार)
32 mOhm
वोल्टेज - लोड
4.5 V ~ 5.5 V
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स्टॉक में 36760 PCS
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