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CXDM6053N TR

MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89

भाग संख्या

CXDM6053N TR

निर्माता/ब्रांड

Central Semiconductor Corp

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-243AA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SOT-89

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.2W (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

5.3A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

41 mOhm @ 5.3A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

8.8nC @ 5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

920pF @ 30V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

20V

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