खरीदें Central Semiconductor Corp 2N5116 JFET P-CH 30V 0.5W TO18

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2N5116

JFET P-CH 30V 0.5W TO18

भाग संख्या

2N5116

निर्माता/ब्रांड

Central Semiconductor Corp

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

परिचालन तापमान

-65°C ~ 200°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

शक्ति - अधिकतम

500mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-18

एफईटी प्रकार

P-Channel

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

25pF @ 15V

वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी(बीआर)जीएसएस)

30V

वर्तमान - नाली (आईडीएसएस) @ वीडीएस (वीजीएस = 0)

5mA @ 15V

वर्तमान नाली (आईडी) - अधिकतम

वोल्टेज - कटऑफ (वीजीएस बंद)@आईडी

1V @ 1nA

प्रतिरोध - आरडीएस(चालू)

150 Ohms

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