NE3516S02-A
IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
भाग संख्या
NE3516S02-A
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Bulk
वोल्टेज - रेटेड
4V
आवृत्ति
12GHz
पैकेज/केस
4-SMD, Flat Leads
वर्तमान रेटिंग
60mA
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
S02
पावर आउटपुट
165mW
ट्रांजिस्टर प्रकार
N-Channel GaAs HJ-FET
पाना
14dB
वोल्टेज - परीक्षण
2V
शोर का आंकड़ा
0.35dB
वर्तमान - परीक्षण
10mA
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